后端版图中的闩锁效应及解决方案

该部分的详细知识在博客https://www.cnblogs.com/yeungchie/p/13961469.html已阐述的很清晰，这里根据自己的经验做一些补充。

对闩锁效应的简单解释：

N-Well和P-Substrate之间形成了一个PN结。为了使得管子工作正常，该PN结需要被反向偏置形成二极管隔离区域。所以N-Well需要接VDD而P-Substrate需要接GND。

但如果工作期间，电荷在N-well中积聚。它会改变 P 沟道器件的电位差，从而可能导通这个PN结被正向偏置(Forwad Bias)。