开关电容的charge injection与clock feedthrough

当MOSFET关断后，沟道中的电荷会注入到MOSFET的source端。若source端连接着采样电容，那么该电容的采样电压便会不准确。这个误差被称为charge injection。另外在MOSFET 中，栅极金属和源极扩散区之间在栅氧化层之上的重叠区域形成的寄生电容（gate-source overlap capacitance）。这个寄生电容会和采样电容产生coupling，同样会造成采样电压的不准确，这个误差被称为clock feedthrough。

以sample-and-hold电路为例，当M1关断后，charge injection与clock feedthrough将会对hold Capacitor造成误差。

参考：
J. Yu, ”CHARGE INJECTION AND CLOCK FEEDTHROUGH“